太赫兹波作为最后被人类研究的电磁波频段,早年间受制于太赫兹源和探测器的研究进展,太赫兹的应用方向尚未得到很好的发展。目前,太赫兹波频段展示出的广大应用前景已经涵盖国防、医疗、通信、环境等多个领域。在太赫兹器件的研究领域中,太赫兹波调制器为多种太赫兹技术所必需。本论文中,我们制备了一种基于MIS电容的太赫兹波调制器,详细研究了该调制器在施加激光和施加偏置电压作用下对太赫兹波的调制性能,同时对器件制作中所涉及的工艺进行了研究。本文中,我们首先讨论了制备石墨烯/氮化硼/P型硅MIS电容器的实验工艺,并对其进行了相应的优化处理。然后对基于石墨烯与氮化硼构成的二维异质结增强的光控太赫兹波调制器进行了研究。石墨烯/氮化硼异质结修饰的硅与仅石墨烯修饰的硅对比后发现,在外加激光为100mW时其调制深度最大可增加一倍,调制深度随频率衰减也因为氮化硼的引入变小。这是由于氮化硼拥有较大的禁带宽度和较小的厚度,氮化硼薄膜的引入能够进一步有效的分离光生的电子和空穴,使得石墨烯对硅的修饰作用进一步增强。之后我们利用氮化硼良好的绝缘性和石墨烯良好的导电性代替MIS电容器中的介电层和金属层制备了基于MIS电容的太赫兹波调制器。经过实验研究发现:在通过激光照射使得硅基底中的非平衡载流子浓度提升的前提下,调制器对太赫兹波的调制作用与对MIS电容器施加偏置电压时产生的累积、耗尽、反型三种状态有关。令硅基底接地,在0.2-1THz范围内,当施加电压为反向偏置电压时,器件的调制深度可以随着电压的增大而增大,调制深度最大可达52%,当施加电压为正向偏置电压时,由于氮化硼与P型硅界面处产生耗尽层与反型层两种状态导致界面中载流子浓度发生变化,最终使得器件对太赫兹波的透射率先增加,在达到开启电压后逐渐减小,其调制深度最大可达65%。相比传统的硅基底太赫兹波调制器,其具有插入损耗较低,调制电压较低、利于大面积制作等特点,为研究更好的太赫兹波调制器提供了一种新思路,也为柔性太赫兹器件的发展提供了一种新的方向。