电化学沉积方法与化学/物理气相沉积、激光熔覆等薄膜成形技术相比,具有成本低、易实现等优势,适于金属纳米晶膜、合金膜及复合材料膜等各类膜层制备。本课题采用恒电位法,选用碱性柠檬酸盐镀液,在ITO导电玻璃上沉积铜薄膜,分析了电结晶初期的沉积机理。研究阴极沉积电位和沉积时间对铜薄膜性能的影响,利用扫描电子显微镜（SEM）表征铜薄膜的微观结构,利用X射线衍射（XRD）表征铜薄膜的织构,采用纳米压痕技术表征铜薄膜的微观力学性能,探究基底效应对薄膜硬度的影响,对铜薄膜进行微米划痕实验,测定薄膜与基底的界面结合强度,在3.5%Na Cl溶液中对铜薄膜进行极化曲线测定,分析铜薄膜的电化学腐蚀性能。另外,利用扫描电化学显微镜（SECM）的直接模式（Direct Mode）,在Pt盘电极上进行了铜的微区沉积,在光学显微镜下观察铜沉积点的形貌。通过分析恒电位法的电流-时间暂态曲线,发现铜薄膜的电结晶初期的成核方式符合Scharifker-Hills三维瞬时成核模型。随阴极沉积电位的负移,晶粒尺寸增大,薄膜的平整度和均匀度下降,以（1 1 1）晶面择优取向生长为主,薄膜表面的晶粒由刺球状在-1.20 V时变为锥状,压痕硬度和弹性模量随压入深度增大,受到基底效应的影响越大,薄膜与ITO导电玻璃基底的界面结合强度与沉积电位负相关,薄膜的耐腐蚀性能呈先减小后增大的趋势。当阴极沉积电位一定时,随沉积时间的增加,镀层厚度增加,铜薄膜与ITO导电玻璃间晶格失配导致的错配应力对晶粒尺寸的限制减弱随膜厚的增加而减弱,晶粒尺寸变大,表面薄膜的平整度和均匀度下降,以（1 1 1）晶面的择优取向生长不断强化,结晶度显著提高,当压入深度增大时压痕硬度和弹性模量会受到基底效应的影响,薄膜与ITO导电玻璃基底的界面结合强度与沉积时间负相关,铜薄膜的耐腐蚀性呈单调减小趋势。用扫描电化学显微镜（SECM）在Pt盘电极上进行铜的微区电沉积,选择直接模式,随阴极沉积电位负移,铜沉积点的轮廓直径增大,但水的氧化反应生成的大量气泡在探针表面聚集,屏蔽了电场,且严重影响电沉积过程的扩散等,造成沉积点局部中空等缺陷,而电位负移,电流密度增大,加快氧气生成速率,对薄膜的影响增强;当阴极沉积电位一定时,沉积点的厚度随沉积时间的增加而增加。