论文部分内容阅读
第三代导体材料GaN、SiC具有禁带宽度大,高电子迁移率,高的热学和化学稳定性等特点,非常适合于制作高温、高频高功率的光电子和微电子器件.对其晶体电子结构和光学性质的基础研究也引起了人们极大的兴趣.该论文主要利用全势缀加平面波方法对宽禁带半导体SiC的电子结构和光学性质及其非极性表面结构进行了第一性原理计算,并用同步辐射光电子能谱研究了GaN表面电子结构.