钨(W)材料是最具希望的聚变堆中的面向等离子体材料,其在聚变等离子体的高热流、低能高束流的粒子流的作用下会发生多种损伤行为。这些损伤行为会对W材料的服役性能产生影响,并影响等离子体的稳定性和聚变装置的稳定运行。研究人员对于W材料在聚变等离子体作用下的不同的损伤类型分别进行了大量的研究。但是,对于不同损伤类型之间相互的影响的研究还很缺乏,而这一方面的研究对钨基面向等离子体材料(W-PFM)的服役性能和状态的评价有重要的科学价值和工程意义。因此,本文借助直线等离子体发生设备Pilot-PSI研究了W材料表受热损伤产生了裂纹后在模拟聚变等离子体的辐照下的损伤行为,研究了表面具有柱状形貌的W材料在模拟聚变等离子体辐照下的损伤行为,并对W材料在聚变等离子体的辐照下的损伤情况进行了初步的描述和评价。通过表面预置裂纹损伤的W进行模拟聚变D等离子体辐照损伤研究表明,W基体表面的裂纹能够抑制其附近范围内的低能高束流的D等离子体辐照所产生的D泡。在同一个W片上,靠近裂纹区域的W片的表层的D泡的密度远小于远离裂纹区域的D泡的密度,裂纹对D泡的这种抑制作用的范围约为其附近1μm。通过对表面具备微米级柱状形貌的W的模拟聚变D等离子体的研究表明,表面形貌改变后的W在低能高束流的D等离子体的作用下的行为与表面抛光的W片明显不同。表面为微米级柱状形貌的W片在经受D等离子体的辐照后,表面均发生了严重的刻蚀现象,出现了大量的刻蚀形貌。另外具有微米级柱状形貌的W片表面的刻蚀形貌的分布具有明显的晶粒取向性,不同晶粒取向的W晶粒在经受D等离子体辐照后的损伤情况具有明显的差别。本文进行了W-PFM抗聚变等离子体辐照损伤的描述和评价方面的研究。将W材料在聚变等离子体作用下的损伤分为裂纹损伤、表面熔融和蒸发损伤、氢及其同位素辐照损伤和He辐照损伤等四种基本的损伤类型,及物质损伤失效、传热效率失效、和结构穿透失效这三种可能的失效形式。并按照这三种可能的失效形式,初步建立了裂纹损伤情况的的描述因式。另外,还对H泡损伤、He辐照损伤等损伤情况的相关数据进行了统计。