该论文的内容可归纳为两大类:1)金属等离子体源高子注入及薄膜沉积(MPSIID)技术;2)脉冲高能量密度等离子体(PHEDP)材料表面改性.在MPSIID技术方面,1)研制了一台金属等离子体离子源,并对其工作特性进行了系统的研究.用该离子源产生了铝等离子体,并沉积了积膜;2)研制了一台负高压脉冲电源以及一些必要的电子学线路,在金属等离子体离子源和等离子体源离子注入(PSII)的基础上,实现了金属等离子体源离子注入及薄膜沉积(MPSIID)技术;3)在MPSIID技术的基础上,提出了辉-弧技术,并研究了辉光等离子体对薄膜性能的影响;4)利用辉-弧技术在45号钢基底沉积了氮化铝、氧 化铝和铝混和膜,使45号钢表面的抗腐蚀性能提高了59倍之多;5)对PSII技术相关的一些物理问题进行了理论研究:提出了一个流体模型来描述PSII系统中等离子体的分布;提出了一个双极扩散模型描述圆筒形样品内部等子体的分布;提出了内表面注入的碰撞型准静态鞘模型,并研究了气压对注入离子能量分布的影响.在PHEDP材料表面改性方面,进行了氮化硅陶瓷的钛金属化,并研究了脉冲等离子体能量对薄膜性能的影响,并对PHEDP与基底之间的相互作用进行了讨论.研究表明,1)随脉冲等离子体能量的增加,经处理的氮化硅样品表面的方块电阻迅速减小;2)脉冲等离子体能量对薄膜的表面形貌、微结构、薄膜与基底间的界面反应以及膜层与基底间的混合等有十分重要的影响;3)在钛和氮化硅界面反应中出现了自由硅,这说明PHEDP容易合成亚稳态相;4)PHEDP膜与基底结合十分牢固.