直接合成不存在已知三维（3D）层状母体的二维（2D）范德瓦尔斯（van der Waals,vd W）材料将为开发具有新特性和新功能的工程材料提供重大的机遇。最近实验合成的在2D材料发展进程上具有里程碑意义的Mo Si2N4化合物,一种新型的直接合成的2D vd W层状材料,正在吸引着光电子学、谷电子学及自旋电子学等领域的关注。尽管最近对单层Mo Si2N4的理论探索越来越多,但迄今为止关于缺陷对其物理性质的影响的研究还没有被报道过。此外,如此的工作对理解Mo Si2N4化合物本质属性与进一步发展它的实际应用具有重要的意义。在本文中,我们使用基于密度泛函理论的第一性原理计算研究了四种类型的缺陷(ONout、ONin、VNout以及VNin)对单层Mo Si2N4结构、电子及磁学性质的影响。计算结果表明ONout、ONin、VNout以及VNin这四类缺陷都能导致各自体系中氧杂质或氮空位周围的结构畸变,从而改变了体系晶格常数与单层高度。具体地,ONout缺陷或ONin缺陷增加了晶格常数,但VNout缺陷或VNin缺陷使晶格常数减小。ONout缺陷或VNout缺陷增加了单层高度,然而ONin缺陷或VNin缺陷会使其变小。每类缺陷都会对单层Mo Si2N4的电子性质产生根本性的影响,能够诱导其从半导体转变为金属。此外,ONout、ONin以及VNin这三类缺陷都会对单层Mo Si2N4中的自旋轨道耦合效应产生微弱影响。ONout缺陷或VNout缺陷对单层Mo Si2N4的磁性没有影响,然而ONin缺陷或VNin缺陷却能诱导单层Mo Si2N4由非磁性转变为亚铁磁性。随后,我们又探索了双轴应变对ONin缺陷体系与VNin缺陷体系的磁学性质的影响。研究发现,对于ONin缺陷体系,随着应变从-3%增加到10%;对于VNin缺陷体系,随着应变从-9%增加到10%,两体系的总磁矩都对双轴应变不敏感,然而Mo原子的局域磁矩都增大。此外,当ONin缺陷体系处于大约-4%的应变值下时、VNin缺陷体系处于-10%～-9%范围内的应变值下时,两体系都会发生亚铁磁态与顺磁态之间的磁相变。这项研究为单层Mo Si2N4在自旋电子及2D磁性材料里的应用提供了一份可能的指导。