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高性能有机电致发光器件是显示和照明领域的研究热点。本论文的研究重点是通过电极界面修饰降低注入势垒以提高空穴和电子的注入效率，进而获得高性能的OLED器件。主要成果为：1、采用UV紫外光照射邻二氯苯法，对阳极ITO进行界面修饰，在o-DCB: H2O2掺杂比例5:1条件下，UV光照10min，结构为ITO/CBP/Alq3/Mg:Ag/Ag的器件性能明显改善，电流效率达到4.15cd/A，优于传统的UV紫外光照射法(0.50cd/A)。UV光照下产生的氯单分子层提高了ITO表面功函数，光引发剂双氧水的加入有效提高了溶液中氯自由基的含量，使ITO界面修饰效果和空穴注入效率得以提高，使相关器件性能提高。2、采用分子自组装法，通过三甲氧基硅烷类材料，对阳极ITO进行界面修饰，系统研究了不同电负性末端基团(Cl、Br、I和NH2)对其表面功函数的影响。研究发现，末端基团电负性越高，ITO表面功函数提高越大，器件性能最优。对于结构为ITO/CBP/Alq3/Mg:Ag/Ag的发光器件，经过修饰后，电流效率达到3.67cd/A，优于传统的UV紫外光照射法(0.50cd/A)。该界面修饰法可在阳极ITO表面引入单分子层，形成界面偶极子，进而提高阳极ITO表面功函数，并改善了其表面形貌，使相关器件性能提高。3、首次将KBH4作为低功函数金属K来源，配合高稳定性金属Al和Ag，制备KBH4: Al/Al和KBH4: Ag/Ag复合阴极，应用于ITO/NPB/Alq3/阴极的器件中。经过掺杂比例和厚度的优化后，在KBH4: Al(1:10,5nm)/Al(95nm)时，电流效率为4.6cd/A；在KBH4: Ag(1:10,5nm)/Ag(95nm)时，电流效率为4.8cd/A，均高于Mg: Ag/Ag复合阴极的器件性能(2.8cd/A)。低功函数金属K的产生，有效降低了电子的注入势垒，Al和Ag的引入可提高复合阴极的稳定性，且不影响其电子注入能力，使器件性能提高。4、采用阴极材料聚氧化乙烯PEO，制备PEO/Cs2CO3/Al复合阴极，应用到经典的湿法小分子发光器件中，与Cs2CO3/Al阴极的器件对比，电流效率从18.8cd/A提高到32.1cd/A，启亮电压从4.9V降低为3.4V。PEO薄膜的引入，增强了该复合阴极界面的电子注入效率，使器件性能提高。