论文部分内容阅读
该论文丰富和发展了水热制备技术和液相化学合成法.在水溶液中,以高分子和表面活性剂作为结构导向剂,合成出尺寸均匀的VO<,x>·nH<,2>O(2.0≤x≤2.5)纳米带、CaV<,6>O<,16>·3H<,2>O纳米带和Ba(VO<,3>)<,2>·H<,2>O纳米线束,并研究不同反应条件对产物的影响,提出了不同的反应机理;我们还通过微波辅助法和溶剂置换法,合成出立方相管状硫化汞纳米晶和三元硫族化合物Ag-M-S(M=Ga,Cu,Hg)纳米晶.论文主要内容归纳如下:1.丰富和发展了水热制备技术,在PEG-400存在下,通过简单的水热方法制备出了形貌均匀的VO<,x>·nH<,2>O纳米带.同时,我们还可以通过调节反应时间来控制产物中V<4+>/V<5+>(2.0≤x≤2.5)的比例,讨论了不同反应条件对产物的影响.经研究发现,pH值、PEG-400在纳米带的形成过程中起了关键作用.较前人的工作,我们能够在较大pH值范围内(3.5-5.5)得到纯的、形貌均匀的VO<,x>n·H<,2>O纳米带.PEG-400在反应中不仅起到了还原剂的作用,而且还起到了配位剂的的作用.提出了配位自组装的反应机理,通过形成配位化合物PEG<,x>-V<,10>O<,27>(OH)<5->,促进了V<,2>O<,5>·nH<,2>O的形成,并且这一反应过程速度较慢,有利于控制产物的形貌,生成均匀的纳米带.2.以简单的无机化合物为原料,通过水热方法合成了形貌均匀的CaV<,6>O<,16>·3H<,2>O纳米带.纳米带的宽度范围大约150-500 nm,厚度大约30-60 nm,长度可以达到几百微米,有的甚至达到几毫米.表面活性剂SDS在反应中起到控制产物生长方向的作用.在以上工作的基础上,以BaCl·2H<,2>O和NH<,4>VO<,3>为原料,通过水热方法合成出形貌均匀的Ba(VO<,3>)<,2>·H<,2>O纳米线束,阳离子表面活性剂CTAB对产物形貌的控制起到重要作用.3.采用微波辅助化学液相法,在常温常压下制得了立方相管状硫化汞纳米晶,并对探讨其成管机理.我们用的TM01波起到"软模板"的作用,促进立方相的硫化汞沿着(111)方向滑移,闭合成管.我们还采用简单的溶剂置换方法,合成出了三元硫化合物Ag-M-S(M=Ga,Cu,Hg)纳米晶,并探讨其反应机理.