随着科学技术的不断发展,光电探测技术在日常生活中被广泛应用于烟雾探测、火焰探测等紧急状况的智能报警、公共场所照明及笔记本电脑等设备的自动调节开关。目前常用的光电探测技术主要是基于CdS、CdSe、CdTe、Si、Ge等材料,然而这些感光材料大多制备工艺复杂,成本较高;尺寸无法进一步减小;散热性能较差;运行速度达到瓶颈。因此,随着技术发展的需要使得寻找新型替代材料成为越来越紧迫的任务。近年来,研究人员不断研制新材料、探索新机制和设计新结构以研制新型高效、快速、稳定的光电响应器件。迄今,用于光电响应器件的材料主要包括有机荧光分子、金属有机配合物、半导体纳米材料,其中半导体纳米材料由于具有高的光电转换效率和结构稳定性被广泛用作光电探测器件的研究。同时,石墨烯因具有导电速度快、机械性能好和比表面积大等特点,在光电探测领域有着潜在的应用前景。近年来不少研究者通过采用石墨烯与半导体纳米材料进行复合来制备石墨烯纳米复合物,实现了光电探测器光电响应速度以及响应度的提高。另一方面,钙钛矿纳米材料因为具有高的载流子迁移率、长的载流子扩散长度、高的可见光吸收系数、波长可调谐等优异的光电性能,使其在光电探测领域有着巨大的应用前景。本课题采用AgInZnS量子点、钙钛矿量子点材料与石墨烯进行复合得到了量子点/石墨烯纳米复合材料,并且成功制备了钙钛矿纳米棒,并对它们的光电响应性能进行了深入的分析和研究,基于这些材料的优异性能,本论文做了以下一些研究工作:第一章回顾了石墨烯、半导体纳米材料和钙钛矿纳米材料的结构、性能及其合成方法,阐述了本文的研究意义,对基于半导体纳米材料/石墨烯纳米复合材料以及钙钛矿纳米材料的光电探测器的国内外现状进行了分析,并介绍了本文的研究目的和研究内容。第二章介绍了银铟锌硫(Ag InZnS)纳米颗粒、还原氧化石墨烯(RGO)和AgInZnS/RGO纳米复合材料的制备方法。并通过透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、吸收(Abs)和荧光光谱(PL)等表征手法对上述材料进行了性能表征。为了研究其光电性能,我们制备了一个基于AgInZnS/RGO纳米复合材料的光电探测器件。实验结果表明基于该纳米复合物的光电器件具有光电流开关比为210%,光响应度为1mA/W,在有光照的情况下,光电流上升时间为0.62s,下降时间为0.29s。第三章介绍了铯铅溴(CsPbBr3)钙钛矿纳米颗粒和CsPbBr3/RGO纳米复合材料制备方法,在总结各种钙钛矿合成方法之后,提出采用热注入法制备CsPbBr3纳米颗粒和CsPbBr3/RGO纳米复合物,并对其形貌、结构和光学性能进行了系统的表征。直接将制备好的CsPbBr3/RGO纳米复合材料滴涂在金叉指电极上制备了一种相应的光电响应器件,其结构为(CsPbBr3/RGO)/金叉指电极/SiO2/Si,并对其光电性能进行了测试,得到其光电流开关比为170%,光响应度为16.2mA/W在有光照的情况下,光电流上升时间为0.41s,下降时间为0.42s。第四章介绍了一维全无机钙钛矿CsPb(Br/I)3纳米结构的制备方法,对其反应参数包括反应时间、温度和成分进行了系统的研究,实现了高产率的CsPb(Br/I)3纳米棒的制备。并对CsPb(Br/I)3纳米棒的结构、形貌及光学性能进行测试表征。为了研究其光电探测效果,我们直接将制备好的CsPb(Br/I)3纳米棒滴涂在金叉指电极上,测得其光电流开关比为200000%,光响应度为187.5mA/W,在有光照的情况下,光电流上升时间为0.68s,下降时间为0.66s。第五章对本文的研究工作进行了总结,指出了上述材料和基于上述材料的光电探测器所具有的优势,并针对基于新材料的光电探测器的发展进行了展望。