二维二硫化钼作为二维原子晶体,因其具有良好的电学性能,成为了一种重要的新型半导体材料。同时由于二维二硫化钼在结构上与石墨烯相似,而作为重要的石墨烯互补型材料,已被国内外学术界广泛研究。对与二维二硫化钼,我们可以通过引入特定的缺陷,例如位错、堆垛缺陷,来调控其电学结构。目前,对于二维二硫化钼中缺陷的研究和计算还较少。本论文中,针对单层、双层的二硫化钼,我们利用球差校正透射电镜取得二维二硫化钼的高分辨照片并进行分析。对于单层二硫化钼我们直接观察到了位错缺陷的存在,并分析重构了位错模型。对于双层二硫化钼,我们则观察到了本征的三种不同角度的旋转堆垛缺陷,我们的分析表明,这些堆垛缺陷来源于双层二硫化钼中的裂纹和位错。进一步的第一性原理计算结果显示出不同旋转角度的堆垛缺陷使双层二硫化钼的电学结构发生改变,并随着角度变化,双层二硫化钼的能隙值和跃迁辅助动量表现出了新的对称性。这些研究都表明,通过引入位错、堆垛缺陷来调控二维二硫化钼的电学结构,并研制相关的微纳米电子器件、光电子器件是很有前途的。