纳米金属硒化合物是一类重要的半导体材料，它们拥有一系列优异的物理和化学性能，根据金属硒化合物不同的元素成分、晶体结构、维度和表面形貌，它们可以表现出不同的性质。因此，金属硒化物的应用非常广泛，例如太阳能电池、光传感器、热电发电与制冷、非线性光学材料及光催化材料等。本论文选取CdSe、Bi2O2Se和KCu4Se8三种硒化物纳米材料为研究对象，旨在研究和探索微纳米尺度金属硒化物材料合成的新方法、新路线，改进和发展复合碱媒介法与复合熔融盐法，拓展这两种合成方法的适用范围；对制备出的CdSe、Bi2O2Se和KCu4Se8三种硒化物纳米材料进行了光电、热电和超级电容性质研究。本论文的主要研究工作如下：采用改良复合碱媒介法合成了直径200nm，长度1m的CdSe纳米棒，并将样品制作成光敏器件。以模拟太阳光为光源，系统地研究了该器件的光电性质，包括I-V曲线、稳定性、光电流与光强的关系、光电流与电场的关系、光电流响应速度和响应重复性等。结果显示器件对可见光具有很高的灵敏度，其响应时间在毫秒量级，并且具有较好的稳定性，说明该器件有作为光开关和光传感器应用的潜力。采用溶剂热法，以乙二胺为溶剂在180°C的温度下合成了CdSe微米线，产物在氮气环境中400°C下退火后其结晶性变好。采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、透射电子显微镜和X射线能谱等手段对产物进行了表征。通过在合成过程中向反应体系加入适量的水可以控制CdSe微米线长度的生长，即微米线的长度可以从80~150m调控到3~4m，直径可以从3~5m调控到200~300nm。制作了只有一根CdSe微米线的光敏器件，并用I-V曲线、稳定性、光电流响应速度、光电流与光强的关系、响应重复性等方法在模拟太阳光下对其进行了研究。结果显示该器件的光电响应具有很好的可重复性与很高的灵敏性，其响应时间在毫秒量级，展示了其光电传感器应用的巨大潜力。采用复合熔融盐的方法在200°C合成了Bi2O2Se样品。用扫描电子显微镜、X射线衍射仪和X射线能谱来表征产物的晶体结构、尺寸形貌及元素组成。结果表明产物为四方晶相的Bi2O2Se纳米片，纳米片厚度为120nm，形貌不规则。用冷压的方法把样品压成薄膜，研究了其热电性能。测量了薄膜在室温至470K温度范围内的电导率(σ)、塞贝克系数(S)和热导率(κ)。结果表明，该薄膜表现为n型半导体的性质，并有具有很低的热导率，室温时为0.346Wm-1K-1，470K时为0.458Wm-1K-1。在460K得到的最大热电优值为0.73×10-2，虽然所得到的热电优值较小，但它随着温度的升高而增加。采用改良复合碱媒介法合成出了一种新的三元碱金属-铜-硫属化合物——平均长度为30m的KCu4Se8纳米线，其结构通过旋转电子衍射技术来确定，结果为体心四方晶相结构。所合成的KCu4Se8样品分别在0MPa、5MPa和10MPa的压强下制作成薄膜电极，将其组装成固态超级电容器，并测试其电化学性能。结果发现，0MPa超级电容器表现出了最好的电化学性能，其在5mV/s的扫描速率下得到的比电容为25.3F/g。通过5000次恒电流充放电测试发现0MPa超级电容器有很好的循环稳定性。KCu4Se8超级电容器的性能可以通过在0MPa电极表面附着一层质量为0.1mg的V2O5纳米线来提高，在5mV/s的扫描速率下，其比电容提高到了93.7F/g。