【摘 要】
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Ti02纳米管阵列(NTAs)由于其独特的三维管状结构表现出优越的吸附性能和较好的紫外光响应能力,在光催化材料领域有巨大应用潜力。但仍存在光响应范围窄,电子-空穴对复合几率较大的问题。本研究采用阳极氧化法制备TiO2 NTAs薄膜,并采用多重沉积技术制备了具有明显可见光响应的窄禁带半导体(CdS-CdSe)与金属(Pt)共修饰TiO2 NTAs,材料表现出良好的可见光光催化性能。首先采用阳极氧化法
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Ti02纳米管阵列(NTAs)由于其独特的三维管状结构表现出优越的吸附性能和较好的紫外光响应能力,在光催化材料领域有巨大应用潜力。但仍存在光响应范围窄,电子-空穴对复合几率较大的问题。本研究采用阳极氧化法制备TiO2 NTAs薄膜,并采用多重沉积技术制备了具有明显可见光响应的窄禁带半导体(CdS-CdSe)与金属(Pt)共修饰TiO2 NTAs,材料表现出良好的可见光光催化性能。首先采用阳极氧化法制备TiO2 NTAs薄膜,然后以TiO2 NTAs薄膜为基底,分别采用光还原法、化学浴沉积和电化学沉积
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