当前移动设备和物联网设备市场正经历着史无前例的高速增长。尽管数字电路在摩尔定律的驱动下继续增加着集成度,但射频电路却无法按相同比例减小尺寸。因此射频电路尤其是无源器件部分的进一步集成,已经成为系统级封装(System In Package,SiP)技术的关键。近来,玻璃通孔技术被视为实现集成、低成本和高性能无源器件最有前途的技术之一。与二维平面电感相比,采用TGV(Through Glass Via)结构的三维电感具有更好的品质因数。与硅相比,玻璃的介电常数较低,电阻率较高,因而具有较好的高频性能。诸如使用TGV构建的滤波器和双工器之类的无源器件,在确保较小的带内插损和较大的带外抑制能力的同时,还能在尺寸上做小。本文详细介绍了玻璃材料的优势,并给出了TGV的单结构集总参数模型,从本质上分析了玻璃通孔优于硅通孔的原因。论述了玻璃通孔实现和成型以及通孔电镀的关键工艺,包括TGV/IPD(Integrated Passive Device)相关工艺的实现方法。提出了采用通孔和RDL(Redistribution Layer)层构成的TGV电感,通过建立全波电磁场仿真模型,研究了TGV电感相对于传统LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramic)多层电感、硅基/玻璃基IPD工艺所用平面螺旋电感的优势,再研究了TGV电感器件的主要损耗机制和玻璃基电感的几何参数对电感的影响规律。采用基于TGV/IPD工艺的集总元件设计了三款不同应用的功率分配器,与普通高阻硅IPD工艺的功分器相比具有突出的优势。