一维纳米材料如纳米线、纳米管等的特殊结构所带来的高的长径比能够使其具有高的电场增强因子，使其场致电子发射特性受到关注。近十年来，一维纳米材料是场致电子发射材料研究的热点。氧化镁(MgO)是二次电子材料，被广泛应用在电子器件例如等离子体平板显示器中。本论文从探索新型光电功能纳米材料出发，开展氧化镁纳米材料的研制及其特性的研究。 通过发展传统热蒸发技术，成功在硅衬底上研制出MgO一维纳米结构；通过研究制备工艺，获得影响MgO一维纳米材料结构的关键工艺参量，在形貌、密度和直径上实现可控制备。利用热分析-质谱联用仪，研究了氧化镁一维纳米材料的生长过程，证实了镁金属单质在真空条件下低温升华的现象，同时阐述了热蒸发法制备氧化镁准一维纳米材料的化学反应过程。利用透明阳极技术，测试了MgO纳米棒薄膜的场发射性能，氧化镁纳米棒薄膜开启电场为7.3 MV/m，发射电流密度可达到7.5mA／cm<2>。