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用激光诱导扩散和激光辅助合金的方法，制成InGaAs/InP探测器，响应度达到0.21A/W。据我们所知，国内还未见关于用激光微细加工技术制作1.3～1.55μm PIN光探测器的报道。本文介绍了激光微细加工中曝光区温度的不接触测量、激光诱导扩散、激光辅助合金，以及用激光微细加工的方法制作光探测器的基本工艺，并且测试了光探测器的一些性能参数。