量子通信作为一个新的研究领域,将信息论和量子论相结合,形成了依靠量子纠缠效应来传输信息的新通讯方式。半导体量子点在量子通信中逐渐成为不可分辨的单光子的最佳来源,是未来量子技术中纠缠光源的主要候选人。本论文将采用MBE技术对高对称Ga As量子点进行制备。为制备高对称的Ga As/Al Ga As量子点,首先对Al Ga As薄膜质量进行研究,观察了Al Ga As/Ga As异质外延过程中的表面重构与温度的对应关系,研究Al Ga As生长过程中表面重构和温度等条件对其质量的影响。结合Al Ga As和Ga As的能带结构和发光机理,揭示Al Ga As中Al含量对于液滴法制备的Ga As量子点中发光的影响,确立了液滴刻蚀法中Al Ga As的生长条件和Al组分的范围。然后对高对称Ga As量子点进行了制备,优化生长Ga As量子点的淀积量和淀积速率得到了光强达到6W的量子点。并通过以下两个方面有效地抑制了量子点精细结构劈裂的产生:（1）通过液滴刻蚀法避免了晶格失配应力导致的精细结构劈裂。（2）通过在纳米孔中生长量子点,限制量子点的形状来抑制精细结构劈裂的产生。对量子点的光学特性进行表征,测得了双激子级联发射的PL光谱,测量了量子点的精细结构劈裂。并发现了处于不同波段（700nm和770nm）的量子点。因为液滴刻蚀法制备的Ga As量子点纠缠光源仍具有较小的精细劈裂,根据精细结构劈裂产生的原因,对纳米孔的制备进行了系统而全面的研究和分析。通过液滴刻蚀机理的分析,影响纳米孔形状的生长条件主要分为液滴和退火两个方面。（1）优化了Al液滴的淀积量,淀积速率淀积温度等外延生长条件,表征发现Al在Al Ga As上形成的液滴由于Ostwald熟化和As压的影响并不对称,影响了纳米孔的对称性。（2）优化了退火的温度,时间和As压的刻蚀条件,并对退火前后的纳米孔进行对比,发现退火后纳米孔的对称性更好。但是发现Ga As量子点仍具有精细结构劈裂的原因是纳米孔的倾斜度不同造成。结合能带结构,纠缠特性和实验结果对纳米孔的制备提出了新的要求。研究优化了高对称Ga As量子点的制备,为实现不可分辨的单光子纠缠源提供了新的条件和要求,在未来的量子器件中无应变的Ga As量子点可能为纠缠光子的产生提供一个实用的平台。为量子通信,量子计算技术急需的量子光源提供了实验基础和优化方案,面向全固态量子中继,计算,测量技术系统所需的量子光源提供了实验数据和理论基础,促进了量子通信,量子计算以及量子光学基础研究与应用的发展。