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Ⅲ族氮化物半导体由于其宽广连续可调直接带隙特点(0.7eV≤Eg≤6.2eV)，优越的物理、化学性质，是发展近红外-可见-紫外波段半导体光电子器件的优选材料。InGaN/GaN多量子阱(MQW)结构是紫外-可见发光二极管(LED)器件的核心部分。具有长波长光发射的高In组分InGaN/GaN MQW结构制备，无荧光粉白光LED技术是目前GaN基LED研究前沿方向，受到研究者的密切关注。 本论文围绕Ⅲ族氮化物，主要针对InGaN/GaN多量子阱的光学性质以及白光LED器件，展开了材料的生长和器件制备的研究与探索，得到的主要结论如下: 1.利用金属有机物化学气相淀积技术(MOCVD)生长出了高质量InGaN/GaN量子阱结构，该结构室温下光致发光呈红橙色，发光峰位在610nm。阴极荧光谱(CL)测试发现量子阱中In组分随着层数的增加而升高。10K至300K的变温光致荧光(PL)谱分析，观察到量子阱结构有两个发光机制，且峰位随着温度呈S形变化，这可能与表面的量子点结构有关系。量子点结构的产生归因于In分凝和载流子的局域化导致的载流子动力改变。 2.详细系统研究了InGaN/GaN多量子阱生长规律，发现随着InGaN阱层生长温度的降低，其晶体质量变差;随着In组分提高，In分凝程度加剧，峰位向长波段红移;随着GaN垒层厚度的增加，峰位向长波段红移。高In组分的InGaN/GaN量子阱中生长过程中，In流量具有优化条件，并不随In流量增加而单调的变化。原子力显微镜(AFM)以及PL等表征手段，观察到在输入In流量为160sccm条件下，InGaN/GaN多量子阱的发光最强，表面形貌最平整均匀。 3.利用MOCVD生长了白光InGaN/GaN多量子阱LED结构，有源层包含1个周期蓝光和两个周期绿光量子阱，采用微加工工艺制作了LED器件。在室温下，注入电流为40mA时，LED器件电致发光呈白光。电学分析表明，该器件的开启电压为2.9V，当反向电压5V时，其电流为70μA。随着注入电流的增大，发光峰整体蓝移。