本研究首先研究了利用较为经济的熔盐体系进行硅的制备,比较了几种不同制备硅的方法,从而得出FClNaK-SiO₂体的经济、适用、环保等性能。对FClNaK-SiO₂ 体系熔点进行了考察,结果表明随着SiO₂ 含量的增加,FClNaK-SiO₂ 熔盐体系熔点先是上升,在SiO₂ 摩尔含量接近5%时出现一个峰值;然后下降,在接近7%处出现谷值,以后随着SiO₂ 含量的增加,熔点逐渐升高。最终选择SiO2 摩尔含量7%作为熔点最佳值。同时,试验表明在钼基体上也可以沉积出硅。同时对比得出该熔盐体系电沉积硅,较以往熔盐电沉积硅有较好的沉积效果和制作成本,同时有利于环保;较气相沉积法具有步骤简单,操作方便等优点。对FClNaK-SiO₂ 熔盐体系电沉积硅的工艺条件进行了研究,利用金相显微镜、扫描电镜对渗镀层进行观察、检验,确定出合理的熔盐体系组成及温度范围;获得了在Fe-3wt%Si 基体上电沉积硅的最佳工艺条件:T=700℃、i=60 mA/cm²、SiO₂ 摩尔含量为6%。成功地制得了厚度为8¹60μm 的渗镀硅层。通过对渗硅制备Fe-6.5wt%Si 薄板的要求分析,确定了扩散退火渗硅条件;于1050℃下,高温退火30⁵0min 制备了Fe-6.5wt%Si 薄板。