A位改性CaO-Li2O-Sm2O3-TiO2基微波介质陶瓷结构与性能研究

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微波介质陶瓷具有介电常数系列可调、介电损耗小、温度稳定性好等特点,在微波通讯领域得到广泛的应用。微波器件的微型化和集成化通常要求介质陶瓷具有高的介电常数,但这类高介体系陶瓷一般会存在品质因子较低、谐振频率温度系数较大的缺点,极大地限制了其实际应用。   复合钙钛矿结构CaO-Li2O-Sm2O3-TiO2(CLST)基微波介质陶瓷的介电常数εr大于100,品质因子Q×f在4,500GHz以上,谐振频率温度系数τf在±15ppm/℃以内,是目前介电性能较好的高介微波介质陶瓷体系之一,对其A位或B位进行取代或掺杂改性可以进一步改善其介电性能。本文以CLST陶瓷为基体,通过引入Mg、Sr、Ba等碱土金属元素对其进行A位改性,探讨了A位改性对CLST陶瓷电子结构、相结构和微结构以及微波介电性能的影响规律。   1、采用第一性原理方法计算了碱土金属元素A位取代CLST陶瓷的电子结构,探讨了A位取代对复合钙钛矿结构CLST陶瓷结构和微波介电性能的本征影响。结果表明,Mg或Ba取代A位Ca后会降低陶瓷的介电常数,同时降低体系的介电损耗,而Sr取代则增大了体系的介电常数,同时带来大的介电损耗。   2、制备了xMO-(16-x)CaO-9Li2O-12Sm2O3-63TiO2(M=Mg、Sr或Ba,x=0~4)(MxCLST)陶瓷,结果表明:Mg改性时,Mg均以二钛酸镁小晶粒的形式镶嵌于主晶相间,而Sr改性时则形成了完全的固溶体。Ba改性则随取代量的不同出现两种情况:当x≤1时,Ba改性形成完全圈溶体;当x≥2时,出现少量BaSm2Ti4O12(BSmT)第二相,此时,过量的Ba以BSmT形式存在。由介电性能测试结果看出,Sr及Ba(x≤1时)进行A位改性的实测结果与理论计算结果能较好地吻合,而Mg及Ba(x≥2时)改性的实测结果与理论计算结果不符。这是由于电子结构计算模型设计均为固溶体,而Mg及Ba(x≥2时)取代则生成了第二相。Mg取代的性能变化与倒数经验公式吻合。   3、用二步法制备了Sr取代的复合钙钛矿结构CLST基陶瓷(xCa15/16Sr1/16TiO3-(1-x)Li0.5 Sm0.5TiO3简称CST-LST),探讨了A位有序结构对微波介电性能的影响。结果表明,x<0.2时存在A位有序结构,x≥0.2时,A位有序结构消失。A位有序结构对介电常数和谐振频率温度系数几乎没有影响,对介电损耗的影响也不如晶粒尺寸、致密度等非本征因素的影响显著。当x=0.3时,得到相对最佳的微波介电性能:εr=102,Q×f=4,465GHz,τf=+4.28ppm/℃。
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