【摘 要】
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进入21世纪以来,显示技术快速发展,整个半导体工业上升为全球主要产业。非晶氧化物材料由于具有优良的光学与电学性能成为最有前途的下一代平板显示的沟道材料。特别是非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)材料具有低温制备,表面高度平滑等优点,能够满足大面积的液晶显示技术需求,从而有潜力取代传统的硅基材料。因此开展对新兴a-IGZO半导体材料的探究工作意义重大。本文利用原子力显微镜和椭圆偏振光谱仪,研究了不同处理
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进入21世纪以来,显示技术快速发展,整个半导体工业上升为全球主要产业。非晶氧化物材料由于具有优良的光学与电学性能成为最有前途的下一代平板显示的沟道材料。特别是非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)材料具有低温制备,表面高度平滑等优点,能够满足大面积的液晶显示技术需求,从而有潜力取代传统的硅基材料。因此开展对新兴a-IGZO半导体材料的探究工作意义重大。本文利用原子力显微镜和椭圆偏振光谱仪,研究了不同处理条件下深紫外光(DUV)辅助高压退火对溶液旋涂法制备的非晶IGZO薄膜微观结构与光学特性的影响。具体研究
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