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ZnO是宽带隙半导体材料,具有优良的光学和电学性质,广泛应用于紫外发射器件、紫外激光器件和紫外探测器等领域。本论文采用KrF准分子脉冲激光沉积技术制备薄膜,系统的研究了ZnO薄膜的制备、光学和光电导的特性。论文的主要内容有:1.改变衬底温度和气氛氧压强,在Si衬底上生长了ZnO薄膜,测量了衬底温度为400℃,氧压为10~(-3)Pa-10Pa样品的光致发光(PL)光谱和X射线衍射(XRD)谱,结果表明,生长温度为400℃,氧压取10~(-2)Pa时,紫外发射最强;高温(700℃)