【摘 要】
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区熔(FZ)硅单晶是制作电力电子器件的主要原材料,产量大约占整个硅片市场6%~8%。高质量的电力电子器件的发展对区熔硅单晶的高完整性、高纯度、高均匀性及大直径化提出了要求
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区熔(FZ)硅单晶是制作电力电子器件的主要原材料,产量大约占整个硅片市场6%~8%。高质量的电力电子器件的发展对区熔硅单晶的高完整性、高纯度、高均匀性及大直径化提出了要求。汽相掺杂单晶具有晶格损伤小、少子寿命高、生产周期短、掺杂命中率高及生产成本低等特点,随着电力电子器件快速发展,市场需求急剧增加。为了深入的研究并应用该项技术,本文对汽相掺杂工艺进行了研究和探讨。本文对不同工艺条件(设置不对称热场、增大固液交界面温度梯度、加强扰动)下采用汽相掺杂工艺进行了单晶生长试验。试验发现:热场设置是影响电阻率均匀性的主要因素,设置不对称温度场有利于固液交界面杂质的均匀分布,是降低区熔硅单晶径向电阻率不均匀性(RRV)的有效途径。另外,从试验结果可以看出:采用相同的掺杂工艺,单晶直径不同,掺杂效果不同;单晶直径越大,汽相掺杂单晶硅片的径向电阻率均匀性越差;径向电阻率不均匀度与单晶直径近似呈正比例关系。
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