随着近几年来无线通信系统的迅猛发展,射频(RF)电路的研究引起了广泛的重视,而低成本、低功耗CMOS射频集成电路的研究与开发更是成为现代电子设计领域的热点。尤其是随着无源器件(电感和可变电容)的片上实现问题的解决,用单片集成电路实现一些复杂功能已经成为可能,例如本机振荡器就可以用单片集成来实现。本论文正是基于本机振荡器单片集成的问题,系统论述了单片射频电感电容压控振荡器的原理和实现方法,并且综合分析了在压控振荡器设计中影响其关键指标的因素,如相位噪声、调谐范围以及功耗等。首先对线性时不变模型和线性相位时变相位噪声模型进行分析和总结的基础上,讨论电感电容压控振荡器的内在振荡机制,总结了振荡器设计和优化的一般步骤。分析了片上螺旋电感模型和可变电容的实现方法,采用ASITIC软件对电感进行优化,首先从工艺参数方面,给出了片上螺旋电感性能随金属的电阻率、衬底的电阻率、金属层到衬底的厚度变化的模拟和分析结果;其次从几何参数方面,给出了片上螺旋电感性能随形状、填充率、间距、金属线宽及圈数变化的模拟和分析结果。电路设计中主要考虑相位噪声、调谐宽度以及功耗等指标,通过采用开关电容阵列和尾电流整形滤波技术以及合理调整电路结构和元器件参数,使相位噪声、调谐宽度以及功耗均达到了较高的性能指标。电路设计采用TSMC 0.18um 1P6M CMOS RF工艺,利用Cadence软件中的SpectreRF工具对电路进行了仿真,结果显示,在电源电压VDD=1.8V时,其中心频率为1.8GHz,频率的变化范围为1.55~2.08GHz,相位噪声为-121dBc/Hz@600kHz,静态功耗仅为2.5mW(1.8V×1.39mA)。