压电晶体的逆压电效应和压电效应在科技中已得到了很广的应用,目前用压电晶体薄片做成的声表面波器件因其有优良的微型化、电性能、高可靠等特点,被广泛的应用于移动通讯、雷达、电子军事对抗、导航等装备中。　　 SNGS就是一种优良的压电晶体,具有传统压电晶体(如石英晶体)无可比拟的优势。SNGS晶体的机电耦合系数巨大,是石英的2-5倍,这对于降低插损,提高器件的工作带宽是很重要的;它的化学性质稳定,可以工作于各种复杂的环境;温度系数低使它适用于高温条件;它的声表面波速率很低,非常有利于器件的微型化。但SNGS单晶的熔点很高,需要较多的贵重的Ga203原料(目前市场价格是1200元/20g),这使得生产成本巨非常高,同时切型比较难控制,这些都成为SNGS压电晶体工业化和商业化应用的瓶颈。本文主要从SNGS晶体的应用基础理论和器件优化设计方法两个方面开展相关研究,为压电晶体材料的分子设计和声表面波器件的特性改良提供理论依据。　　 本论文主要开展以下三方面的工作:　　 1)采用基于密度泛函的第一性原理平面波赝势法对SNGS晶体基态的几何结构、态密度、能带结构、弹性性质、光学性质等进行系统的计算研究。　　 2)编写程序计算SNGS压电晶体在任意切型情况下对应的声表面波速度和机电耦合系数,并分析出声表面波特性比较好的切型方向。　　 3)利用较好的切型设计一个SNGS滤波器。