随着超大规模集成电路集成度的不断增加，晶体管的单元尺寸持续的缩小。晶体管工艺流程发展到了纳米节点以下，线宽效应、短沟道效应等原因使得晶体管性能的持续提高面临了巨大挑战。为了进一步提高晶体管的性能，需要新的沟道材料及相应的制备工艺。近年来，应变硅锗（SiGe）材料，因其与目前硅（Si）工艺的兼容性，被引入到新型的器件结构中，大大增强了沟道载流子的迁移率，提高了器件的速度和性能。在晶体管的源漏区域，金属硅化物（Silicide）作为接触材料，有效降低了接触电阻，提升了晶体管的电学性能。　　本论文工作针对应变 SiGe和镍（Nickle，Ni）反应很难形成均匀、平整的镍硅锗（NiSiGe）接触材料，利用金属钛（Titanium，Ti）插入层对Ni/SiGe反应的影响，进行了以下方面的研究：　　1.研究了不同厚度Ti纳米薄膜插入层对最终生成NiSiGe的影响。研究发现随着插入层厚度的增加，镍的硅锗化物薄膜生成质量逐渐变好并趋于稳定，5 nm Ti金属插入层可以调制高质量（010）取向NiSiGe的生成。　　2.探明了低温退火条件对Ti插入层调节作用的影响。针对不同温度下5 nm特定厚度在300℃、400℃、500℃、600℃条件下进行大量实验，发现500℃左右是最理想的退火温度，超过（或等于）600℃的条件退火，薄膜质量急剧下降。同时研究了二次退火工艺在对Ti插入层调节作用的影响，进行第一阶段的低温预退火，然后进行目标温度的退火。发现了在低温和高温时生成NiSiGe的不同机制：低温时倾向于扩散机制，高温时倾向于形核机制。Ti插入层的调制减缓了反应进程，使得扩散机制的作用温度范围增加。　　3.发现了Ti调制均匀NiSiGe外延生长的机理：Ti元素可以与Si、Ge反应，通过增加Ti缓冲层进而可以调节Ni与Si、Ge反应进度的行为。通过各种元素的相互扩散之后，最终会在应变SiGe材料上生成接触良好的Ni的锗硅化物。生成有外延关系的硅化物，硅化物的晶格与衬底SiGe的晶格有共格晶界。生成高质量的外延单晶薄膜的同时，衬底中的应力得到了很好的保持　　应用Ti插入层调制外延生长的方法，试验中生成了高质量的单晶NiSiGe薄膜。这对NiSiGe生成机制的进一步研究和实际应用都有重要价值。