随着电子工业的不断发展,电子设备对元件的要求越来越苛刻。这对作为感性元件的常用材料NiCuZn铁氧体的性能提出了更高的要求。主要体现在以下几个方面：材料的磁谱特性调控,材料的耐直流冲击特性,材料的直流偏置特性,及材料的温度稳定性等。本文的研究工作正是围绕这几个方面的性能要求而展开,以固相反应法烧结NiCuZn铁氧体为研究对象,分析了主配方,添加剂含量,以及微观形貌对NiCuZn铁氧体各方面性能的影响,为开发高性能NiCuZn铁氧体元件提供了理论指导。另外无线互联网的发展催生了新的产品—电磁屏蔽片,本文对于NiCuZn铁氧体电磁屏蔽片的工业化生产方法进行了初步的研究。首先,运用临界尺寸理论,磁导率分量组成理论,NMGB(Non-Magnetic Grain Boundaries)非磁性晶界模型对材料的微观形貌和磁谱特性进行了分析,研究结果表明,若要制备高磁导率,高使用通频带的铁氧体材料,必须控制材料的平均晶粒尺寸在单畴临界尺寸之下；Co203的添加对两种磁化率分量的影响呈现出不同的规律；尝试采用将阻尼因子看成是频率的函数的方式来拟合磁谱,所得的拟合曲线在整个频段与实测曲线更加吻合,提出了阻尼因子可以作为分析材料配方,工艺,微观形貌与磁谱形状之间关系媒介的思路。其次,运用NMGB模型对材料耐直流冲击特性的研究结果发现,通过玻璃相掺杂可以加厚材料的晶界,能有效的降低实际作用在磁性相上的冲击磁场；通过磁谱拟合的方法研究不同晶粒尺寸的样品发现,受到磁场冲击后畴壁位移磁化率的变化幅度远小于磁矩转动分量,并且畴壁的存在,会使磁矩转动分量的变化幅度也大大减小。再次,对材料直流偏置特性的研究结果表明：采用低熔点玻璃与Bi203复合添加的做法,既能获得比单一添加剂材料更细小的晶粒尺寸,又能获得更厚的晶界,从而能得到更好的偏置性能：提出了理想的助烧剂的研究方向,既具有Bi203与铁氧体的浸润性,又能在烧结末期阻碍离子的扩散。对材料温度系数的研究结果表明：通过调节助烧剂的含量可以改变退磁场Hd从而达到调节温度系数的作用,该方法适用所有尖晶石铁氧体。最后,对铁氧体电磁屏蔽片的批量生产工艺进行了研究,设计了每道工序的设备和工艺过程；充分利用粘合剂存在软化温度的特点,开发了压烘工艺,在粘合剂软化温度下长时间压烘,尽量排出溶剂,可以使坯片在排胶时不会卷曲变形：发明了不规则裂片工艺,相比规则裂片,生产速度更快,成本更低；使用测试天线S11曲线的方法来表征铁氧体电磁屏蔽片的作用,发现插入电磁屏蔽片与原始状态的S11吸收峰中心频率差值与两种情形下可通信距离差值呈线性关系,使用测试S11曲线的方法可以用来进行电磁屏蔽片与天线的匹配设计。