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CZTS薄膜以其元素丰富、环境友好和高光学吸收等优势在光伏领域中受到人们的广泛关注。本文采用CuZnSnS复合靶和ZnS/GeSe/CdS化合物靶为磁控溅射靶,基于一步溅射法制备了Cu_2ZnSnS_4(CZTS)、Ge、Se掺入的CZTS(CZ(TG)(SSe))、Cd掺入的CZTS(C(ZC)TS)等薄膜,以CdS为缓冲层、i-ZnO/AZO为窗口层制备了p-n结结构光伏器件。采用扫描电子显微镜、X射线衍射、拉曼散射等分析了薄膜微观结构和键合特性,采用J-V、QE等技术对器件光伏特性进行了分析。