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【目的】观察A549细胞的HRS/IRR现象,并检测细胞在不同剂量(0~2 Gy)的γ射线辐射下ATM激酶活化水平的变化,以及细胞周期变化和凋亡情况,来探讨HRS/IRR的机制。【方法】选用对数生长期的A549细胞接受0~2 Gy不同剂量的60Coγ射线照射后,流式细胞仪对其进行分选计数,克隆形成法检测细胞的存活分数,利用修正的诱导修复模型拟合细胞存活曲线;Western blot法检测接受0~2 Gy不同剂量的γ射线辐射后1 h细胞的ATM1981Ser-P蛋白表达水平的变化;Hoechst 33258荧光染色法、AnnexinV-FITC/PI双染流式细胞术检测细胞接受0~2 Gy的γ射线辐射后24 h细胞凋亡情况,并绘制细胞凋亡曲线;PI单染流式细胞术检测细胞接受0~0.5 Gy的γ射线辐射后6 h、12 h和24 h的周期变化。【结果】1.细胞存活曲线:A549细胞在0~0.3 Gy之间表现出单位剂量杀伤增强现象,随着剂量的增加曲线变得平滑,在0.3~0.5 Gy之间表现出一定的辐射抗性,0.5 Gy以后的区域细胞的存活分数随辐射剂量的增加而降低。2. ATM1981Ser-P蛋白表达检测:A549细胞经γ射线照射后1 h,在0.2 Gy时ATM激酶开始出现活化,此后其活化水平随剂量的增加而增高(P<0.05),0.5 Gy时活化达到高峰,在其后的剂量区域活化无明显变化(P>0.05)。3.细胞凋亡检测:A549细胞经γ射线照射后24 h,部分细胞发生凋亡,其凋亡曲线与存活曲线相吻合。4.细胞周期检测:与对照组相比,0.1 Gy和0.2 Gy照射组在各个时间点(照射后6 h,12 h,24 h)的细胞周期无明显变化(P>0.05),而在0.3 Gy、0.4 Gy和0.5 Gy组,照射后6 h和12 h细胞发生G2/M期阻滞(P<0.05),照射后24 h G2/M期细胞比例下降(P<0.05)。【结论】A549细胞存在HRS/IRR现象,其发生可能与ATM激酶活化、细胞周期变化有关,凋亡是细胞死亡的主要方式。