【摘 要】
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随着可见光通信的快速发展,硅基雪崩光电二极管(Avalanche Photo Diode,APD)在蓝光波段的低响应度瓶颈问题极大的限制了可见光通信的发展。为此本文为得到高蓝光波段响应度AP
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随着可见光通信的快速发展,硅基雪崩光电二极管(Avalanche Photo Diode,APD)在蓝光波段的低响应度瓶颈问题极大的限制了可见光通信的发展。为此本文为得到高蓝光波段响应度APD器件,在传统APD结构基础上设计优化了一种吸收区与雪崩区互换位置的新吸收场控倍增分离(SACM)结构雪崩光电二极管。在新的SACM型APD的结构模型下,推导了器件内部电场强度分布,优化APD内部结构尺寸和掺杂浓度以实现更大的增益,以及优化器件表面增透膜系统设计达到对蓝光波段选频的目的。利用Silvaco模拟器件的工艺流程,优化吸收区厚度和倍增区掺杂浓度,器件在70V的击穿电压下波长400nm处响应度为110A/W,对实际器件的制备具备一定参考价值。
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