随着社会和经济发展步入新阶段,我国经济由追求速度增长转向重视质量发展,但仍然缺乏提高发展质量的关键性技术。为了解决这一问题,高技术产业受到越来越多的关注。21世纪以来,我国高技术产业不断发展壮大,逐渐成为推动国民经济高质量发展以及推动我国建设创新型国家的先驱力量。加入WTO以来,我国凭借巨大的市场潜力和丰富的资源优势迅速成为世界上接收FDI最多的发展中国家。高技术产业作为制造业高质量发展的重要组成部分,受到外资的重视。电子及通信设备制造业的外商研发投资占比更是在制造业中居首位,外资为我国高技术产业的快速发展提供了大量资金支持。同时更重要的是,FDI流入高技术产业会对该产业技术发展和自主创新产生溢出效应。FDI的进入为我国高技术产业带来了一定的先进技术和管理经验,使我国高技术产业在自有研发基础上,通过吸收外来先进技术可以实现自主创新的提高。提升国内高技术产业的自主研发水平是我国走自主创新的道路、实施创新驱动发展战略的重要举措。自主创新的提高即要依托国内自身科研活动,又受到国际技术发展的影响。而国内的研发基础在很大程度上影响我国高技术产业对国外先进技术的吸收能力。首先,本文从以往理论入手,分析高技术产业FDI对自主创新的溢出机制,分别从研发资本和人员两个角度阐述吸收能力对溢出效应的调节机制。其次,对高技术产业相关数据进行了统计和整理,发现我国高技术产业FDI显现出逐年增多态势。同时,国内吸收基础不断夯实,R&D支出和R&D人员也在快速增加,自主创新不断提高。再次,针对所研究问题构建了以研发经费和人员为吸收能力的门槛模型,将2004-2016年15个行业相关数据进行初步线性回归和非线性回归。主要结果显示高技术产业的FDI确实对自主创新存在正向地溢出效应,并且通过门槛检验证实了高技术产业的吸收能力存在双重门槛效应。随着吸收能力的增强,高技术产业FDI对高技术产业创新的溢出效应越强。在吸收能力超过第二重门槛之后,溢出效应达到最大化。最后,本文结合前文的分析和实证回归结果,分别从增强高技术产业引资强度、夯实国内研发活动基础、优化国内创新条件等方面,就如何提高我国高技术自主创新提出对策建议。