作为一种新型的半导体材料,β-FeSi₂在热电、发光、光电等领域有着很好的特性,因此可以用来制造光传感器、热电器件、太阳能薄膜电池等一系列半导体器件。在光电转换效率方面,β-FeSi₂仅次于晶体硅,其转化效率,在理论上,可以达到16%-23%,是一种理想的光电材料。本文主要研究了基于半导体硅化物β-FeSi₂的光传感器制备及性质,对光传感器的结构进行了设计,分析了不同异质结结构对光传感器性能的影响,为光传感器结构的优化和实用化打下良好的基础。本文主要从两大方面进行了研究工作:首先对采用磁控溅射方法制备β-FeSi₂薄膜的工艺进行了研究。重点研究了溅射功率及溅射沉积Fe膜厚度等工艺对于制备的β-FeSi₂薄膜质量的影响,通过晶体结构及形貌性质的测量分析比较:在溅射功率为110W,退火温度为880℃,退火时间为13h时得到结晶质量较好的β-FeSi₂薄膜,此时XRD峰值强度较大,且晶粒尺寸均匀,薄膜较为平整连续。二次镀膜工艺2min/9min情况下,得到了比较好的β-FeSi₂薄膜。其次,在得到的β-FeSi₂薄膜的最佳制备工艺基础上,研究了基于β-FeSi₂薄膜的β-FeSi₂/Si单异质结、n-Si/β-FeSi₂/Si双异质结制备及性质,通过对不同异质结结构的光谱响应和量子效率测量分析比较,获得了β-FeSi₂/Si异质结的光谱响应度最好值为80m A/W,n-Si/β-FeSi₂/Si的双异质结的量子效率最好值为12%。