在1979年,VDMOS功率器件被发明,它是功率半导体器件领域最为广泛应用的一种器件之一。由于此器件自身有很多其它功率MOS器件无法企及的优点,例如它的高输入阻抗,很快的开关速度,良好的温度稳定性,耐高压大电流能力强等,使得VDMOS器件在工业制造,电脑,家电,数码产品,甚至军工领域都应用广泛。对于VDMOS结构而言,它与传统的MOS器件相比,虽然都有源、栅、漏三个端,但是最大的区别是,它的漏端位于器件的底部。这样,在漂移区内形成了垂直的导电沟道,不仅提高了芯片的表面利用率,还能够增加器件的耐压耐流水平,满足应用对功率器件的要求。高压VDMOS器件的温度特性、准饱和特性和动态特性这三个物理特性是本文研究的重点,并且建立了相应的物理模型。(1)温度特性方面：研究了温度对器件各种物理机制的影响,例如温度对迁移率,阈值电压,导通电阻等的影响。建立整个器件的RC热网络模型,模拟温度效应。利用Medici软件仿真器件的温度特性并提取数据,建立温度特性的等效电路模型,搭建仿真电路,仿真并分析其等效电路模型的精度。(2)准饱和特性方面：研究了准饱和特性的产生机制和影响因素,包括栅压大小、p体区间距、掺杂浓度等对准饱和特性的影响。建立器件的准饱和特性数学模型,分析器件进入准饱和区域时的栅压大小。利用Medici软件仿真器件的准饱和特性并提取数据,建立准饱和特性的等效电路模型,搭建仿真电路,仿真并分析其等效电路模型的精度。(3)动态特性方面：研究了器件内部寄生电容的组成,以及它和结构之间的关系,研究了端电压对寄生电容的影响。利用Medici软件仿真器件的动态特性并提取数据,建立准饱和特性的等效电路模型,搭建仿真电路,然后仿真并分析仿真结果。