InxAl1-xN/GaN宽禁带半导体异质结构材料体系由于其具有良好的电子特性、耐高温及高频特性被广泛应用于高功率、高频器件的制备，深受国际上的关注。因此，InxAl1-xN/GaN异质结构材料与器件的研究已成为当前研究的前沿领域和热点。　　本文研究了In组分为15％、17％和21％的InAlN材料的表面态性质与深能级特性，主要研究结果如下:　　(1)研究In组分分别为15％、17％和21％的Ni/Au-InAlN肖特基二极管InAlN样品表面态性质（表面态密度、时间常数和相对于InAlN导带底的能级位置）。I-V和变频C-V方法测量得到的实验结果表明，随着In组分增加，肖特基势垒高度逐渐降低，表面态密度依次增加。变频C-V测试发现，随着测试频率降低，C-V曲线有序地朝正电压方向移动，该趋势随着In组分的增加而变得更加明显，这可能归结于InAlN表面态的空穴发射。AFM表面形貌研究发现随着In组分增加，InAlN表面粗糙度增加，这可能是表面态密度增加的主要原因。　　(2)主要采用热导纳谱(TAS)的方法系统的研究了不同In组分的三组InAlN材料的深能级特性。发现In组分15％的样品和In组分21％的样品有四个深能级，并且其中两个拥有共同的来源，另外两个受到应力影响能级位置产生轻微的移动。晶格匹配的InAlN材料有三个深能级，并且与应力状态下的材料的深能级没有对应，其主要差别是晶格匹配的InAlN材料的深能级拥有较小的俘获截面。这可能是因为无应力条件下InAlN材料有更高的稳定性。