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金属间化合物MoSi2以其较低的密度、优异的高温强度和高温抗氧化性能,而被认为是最具发展潜力的高温结构材料。但是其在中温范围内(500℃左右)氧化时,因无选择性氧化出现崩解粉化的现象,此灾难性氧化现象被称为“PEST”现象。本课题利用Al合金化及纳米化的复合作用,提高Mo(Si1-xAx)2涂层的抗氧化性能。采用双阴极等离子溅射方法,成功在钛合金(TC4)表面制备了五种Al含量不同的纳米晶Mo(Si1-xAx)2(x=0,x=0.03,x=0.06,x=0.1,x=0.15)涂层。利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)及透射电镜(TEM)对纳米晶涂层的物相及微观结构进行分析。实验结果表明:制备的纳米晶涂层分为沉积层和扩散层,涂层组织致密、连续,纳米晶晶粒大小均匀,晶粒尺寸约为5nm。通过划痕法测得纳米晶Mo(Si1-xAx)2涂层与基体结合紧密。将纳米晶Mo(Si1-xAx)2涂层在500℃、600℃和700℃的氧化炉中氧化,通过XRD、SEM、EDS测试方法对氧化后的物相、氧化产物的成分、氧化膜形貌进行研究。研究表明:Mo(Si1-xAx)2涂层在500℃氧化,涂层表面会生成板条状的MoO3。随氧化时间增加,涂层内部生成体积膨胀率为250%的MoO3,氧化膜内部的体积膨胀,会产生裂纹。Mo(Si1-xAx)2涂层在600℃下氧化时,MoO3开始挥发;当氧化温度为700℃时,MoO3挥发严重,氧化膜表面留下大量孔洞。所以MoO3的生成及挥发,是MoSi2产生PEST氧化的根本原因。通过Al元素的添加,能够有效阻止氧化膜中裂纹的产生,提高涂层的抗氧化性能。将500℃温度下氧化不同时间的纳米晶Mo(Si1-xAx)2涂层在3.5%NaCl溶液中测试其电化学性能。电化学实验结果表明:纳米晶涂层的氧化膜在开路电位下发生不同程度的溶解,Al含量越低,氧化时间越长,氧化膜溶解越明显,借助XPS分析可知MoO3溶解为MoO42-。随氧化时间延长,交流阻抗谱中出现第二个时间常数,Bode图中的相位角逐渐右移、变窄,阻抗谱在低频处出现平台,这些现象说明体系的耐腐蚀性能在下降。电解质从外层疏松的氧化膜渗入内部,使得阻抗谱在低频处出现的电容越来越明显。此外,Al含量越高,氧化膜的耐腐蚀性能越强,进一步验证Al元素的添加,能够有效提高MoSi2涂层的抗氧化及耐腐蚀性能。