【摘 要】
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该文以在ZnS头罩制备增透保护膜系为目标,开展了膜系设计、膜厚分布的模拟、GeC和GaP耐久性薄膜及其膜系的制备、头罩镀膜计算机控制系统的建立、头罩模拟件以及ZnS头罩上制
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该文以在ZnS头罩制备增透保护膜系为目标,开展了膜系设计、膜厚分布的模拟、Ge<,x>C<,1-x>和GaP耐久性薄膜及其膜系的制备、头罩镀膜计算机控制系统的建立、头罩模拟件以及ZnS头罩上制备增透保护膜系的一系列研究,取得的主要成果如下：从光学膜系理论出发,开发了光学膜系计算,设计和结构分析软件OPFCAD.提出了一个综合反映磁控溅射情况的膜厚分布模型,计算机模拟结果与实验结果一致;提出了两种可能实现头罩均匀镀膜方式,建立了相应的计算模型并进行了计算机模拟,优化出能够实现头罩均匀镀膜的头罩运动转迹,模拟结果与实验结果基本一致.研究了磁控（反应）溅射法主要工艺参数对Ge<,x>C<,1-x>、GaP薄膜的沉积速率、折射率等性能和结构的影响规律,优化出制备Ge<,x>C<,1-x>、GaP薄膜的工艺.在ZnS基片上成功地制备出DLC/GaP、Ge<,x>C<,1-x>增透保护膜系以及Ge<,x>C<,1-x>非均匀增透膜,对ZnS基片起到了优良的增透保护作用.建立起头罩镀膜计算机软、硬件控制系统,首次用射频磁控反应溅射法在头罩模拟件和ZnS头罩上制备出DLC/Ge<,x>C<,1-x>增透保护膜系.
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