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随着人工智能与大数据时代的到来,人们对信息的高效收集、高密度存储、快速处理,变得越来越迫切。高密度存储需要相应的新技术、新理论、新材料的支撑。新技术方面的发展主要有垂直磁记录技术(PMR)、叠瓦式存储技术(SMR)和微波辅助磁记录技术(MAMR)。新理论方面的发展主要有磁阻(MR)效应和巨磁电阻(GMR)效应的发现。新材料方面的发展,随着记录密度的提高,主要面临的是超顺磁极限,而目前投入生产的Li0相的FePt材料的记录潜力已经发挥到了极致,要想进一步减小记录位的体积实现更高密度的存储,必须探寻并且制备磁晶各向异性能和饱和磁化强度更高的新材料,因此bct-FeCo材料成为了研究的热点。本文主要从热应力和外应力对bct-FeCo薄膜的磁性能影响以及制备了[FeCo/Rh]n多层膜结构,这三个方面展开研究。第一部分,主要采用磁控溅射的方法,在glass基片和NaCl基片上沉积CrRu(002)/Rh(002)/FeCo(002)/Rh的多层薄膜结构,对比研究了热应力对bct-FeCo薄膜的磁性能的影响,主要得到以下结论:1.CrRu薄膜的溅射参数为5 mTorr Ar,基片温度300℃,DC溅射功率为120 W时,能够获得较优的CrRu(002)织构;CrRu层的厚度为20 nm时,得到单一的Rh的(002)取向;(002)取向的Rh层上能够外延生长得到(002)取向的FeCo薄膜。2.在glass基片上沉积相同厚度的FeCo薄膜,成分比为Fe40Co60的薄膜比Fe50Co50的薄膜的磁晶各向异能高。3.当FeCo薄膜的厚度大于2 nm时,glass和NaCl基片上沉积的FeCo薄膜的Ku值开始下降;当FeCo薄膜的厚度相同时,NaCl基片上的FeCo薄膜的磁晶各向异性能均高于glass基片,这是由于热应力作用的结果。4.通过对样品进行TEM和in-plane XRD分析,发现CrRu层和Rh层在热应力的作用下都发生了晶格畸变,同理可知FeCo薄膜也发生了相应的晶格畸变。第二部分,本部分通过制备[FeCo/Rh]n多层膜结构研究了其磁性能,可得到以下结论:1.当沉积的FeCo层的厚度在4～10 ML时,其饱和磁化强度的值远低于理论值,这是由于薄膜较薄从而形成了一定大小的纳米晶颗粒,发生了超顺磁现象。当FeCo层的厚度达到12 ML时,其饱和磁化强度的值已接近理论值1500 emu/cc。2.当Fe40Co60层的厚度为12 ML时,通过调节Rh层的厚度来提高磁晶各向异性能,实验结果表明其值大约都在9.5×107 erg/cc左右。第三部分,本部分主要通过设计了一种特殊的基片架,给柔性基片预先施加一定外应力,使其弯曲,然后沉积CrRu(20 nm)/Rh(20 nm)/Fe40Co60(2 nm)/Rh(2 nm)多层膜结构,待溅射完成释放外力,从而使薄膜受到一个面内收缩的外应力,研究了外应力对bct-FeCo薄膜的磁性能的影响,主要得到以下结论:1.glass基片、Kapton 500HN基片上沉积的Fe40Co60薄膜的饱和磁化强度的值大约都在1500 emu/cc左右;2.与glass基片相比,柔性基片上沉积的Fe40Co60薄膜的磁晶各向异性能有所提高,其值达到了1.47 ×107erg/cc。综上,热应力和外应力对于提高bct-FeCo薄膜的磁晶各向异性能有一定的效果,而交替溅射形成[FeCo/Rh]n多层膜结构对于提高磁晶各向异性能较弱。