本文的研究对象是6H-SiC，目前6H-SiC主要用于LED照明，在LED领域的强大市场牵引力将促使取代Si成为第三代半导体衬底材料。针对SiC单晶体本身具有较高的硬度、较强的化学稳定性等难加工性，化学机械抛光技术（CMP)是目前唯一能够实现全局平坦化的超精密加工技术，但是目前对CMP的去除机理缺乏深入了解限制了此加工技术的广泛应用。抛光液的研制是化学机械抛光中的关键技术之一。本课题的研究目的是配制出一种适用于抛光SiC单晶片固结磨料化学机械抛光液，实现CMP高质量、高效率的抛光液性能将直接影响到抛光质量和材料去除率，直接关系到SiC晶体的表面平坦化。结合SiC晶体自身的物理、化学等性质，参考相关的研究方法，阅读相关文献，进行抛光液的配制试验，抛光液的性能衡量指标以材料去除率和表面粗糙度两方面为主。本文以超净实验室为环境基础，加工设备是ZYP300研磨抛光机，分析SiC晶体的化学性质和抛光液主要成分作用，通过单因素实验选出抛光液的基本成分：氧化剂、PH值调节剂及表面活性剂等，通过正交实验优化成分及含量。然后研究化学机械抛光涉及到的主要工艺参数，通过正交实验进行优化，通过单因素实验分析各工艺参数的影响规律。最后研究出一种抛光效率高、性能优良的抛光液，为SiC晶体超精密加工提供研究方法和试验结论，对进一步完善SiC晶体固结磨料化学机械抛光液设计提供技术支持。通过添加不同种类和含量的分散剂、无机碱、有机碱、氧化剂、表面活性等来做相应的CMP试验，通过实验结果分析出最适合的成分和含量，最终本章确定了抛光液的基本配方：分散剂六偏磷酸钠含量0.6％、PH调节剂二羟基乙基乙二胺含量0.4％、氧化剂（即过氧化氢）含量4％、表面活性剂为十二烷基硫酸钠含量0.2％。借鉴研制出的游离磨料抛光液基本成分，用于固结磨料化学机械抛光的实验，以此配方作为固结磨料化学抛光液的基本成分的研究基础。通过固结磨料化学机械抛光液正交试验最终得出固结磨料化学机械抛光的基本成分：分散剂六偏磷酸钠含量0.6％、PH调节剂二羟基乙基乙二胺含量0.4％、氧化剂（即过氧化氢）含量4％。另外通过正交试验得出了最优工艺参数，通过工艺参数单因素试验分析出各因素对抛光结果的影响规律。优化后工艺参数：抛光转速为np=nw=60rmp，压力P=2psi，抛光时间为30min抛光液温度20℃，环境温度20℃。研究结果表明，固结磨料化学机械抛光材料去除率高于游离磨粒化学机械抛光，可重复使用磨料，对环境污染小，是非常有前景的平坦化技术，抛光液中化学试剂的加入有效提高了材料去除率和表面质量。