本文采用AZ31B镁合金作为基体材料,利用自制的WH-1A型等离子体电解氧化设备和以硅酸钠为主盐的电解液,主要开展了以下两方面研究:（1）不同因素如电流密度、缝宽、试样位向以及超声波等对镁合金在窄缝内的成膜规律及陶瓷层的耐蚀性。（2）经不同等离子体电解氧化处理时间的六偏磷酸钠电解液对等离子体电解氧化演变过程中陶瓷层结构和耐蚀性的影响。涂层形成研究结果表明:随着电密度的增加,缝隙内的成膜深度在不断地增加;随着缝隙宽度的增加,缝隙内的成膜深度也在不断地增加;试样放置的位向不同,缝隙内的成膜深度也不同,横着放置比竖着放置所得到的成膜深度深。此外,在有超声波的条件下要比在无超声波条件下所得到的膜层深,即在超声波条件下,窄缝内更容易成膜。电化学实验研究结果表明,较窄缝内的等离子体电解氧化膜层比较宽缝隙内的等离子体电解氧化膜层耐蚀性差,比缝隙外的等离子体电解氧化膜层耐蚀性更差,但是,它们都远好于基体的耐蚀性。随着等离子体电解氧化处理时间的延长,添加六偏磷酸钠的等离子体电解氧化陶瓷层表面粗糙度和膜层厚度均有所增加,由EDS测试可知,试样所含硅元素的相对含量先增加后降低,而磷元素相对含量则逐渐升高;陶瓷层的耐蚀性则呈现先增加后降低趋势,即5 min的耐蚀性最好。这说明磷酸盐的加入可能会先促进Mg2SiO4相的生成,但后期由于Mg₃（PO₄）₂相含量的增加,影响了Mg2SiO4物相的形成,从而降低了膜层的耐蚀性。