透明导电氧化物（TCO）薄膜是硅基太阳电池的重要组成部分，硼掺杂的ZnO（ZnO:B，BZO）透明导电氧化物薄膜凭借良好的电学性能和较好的“陷光”能力，成为目前研究的热点。因此，制备出高质量的BZO薄膜对提高太阳电池的性能具有重要意义。　　本文采用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）技术沉积性能良好的BZO薄膜，并将其应用于异质结（SHJ）太阳电池和p-i-n型单结非晶硅（a-Si:H）薄膜太阳电池。获得的主要研究结果如下：　　（1）利用MOCVD技术在玻璃衬底上沉积了BZO薄膜，研究了掺杂流量和沉积时间对BZO薄膜结构、形貌和光电性能的影响，找到了制备光电性能良好且表面形貌为“金字塔”状的BZO薄膜的优化工艺。　　（2）在TMAH湿法制绒的硅衬底上沉积了BZO薄膜，构成SHJ电池的新型衬底。结果表明，BZO薄膜的加入降低了衬底的光学反射率，提高了衬底对近红外波段入射光的光吸收能力。将优化工艺条件下制备的光电性能良好的新型衬底作为SHJ电池的背电极，发现SHJ电池对近红外波段入射光的光响应能力提高，电池的外部量子效率（EQE）提高了11％。　　（3）将BZO薄膜与SiO2增透膜结合，构成SiO2增透膜/玻璃/BZO新型结构并作为前电极应用于p-i-n型单结a-Si:H电池。结果表明，SiO2增透膜呈现非晶结构，表面主要由团聚状的颗粒构成，光学折射率系数为1.28，最高的光学透过率为95.5%；SiO2增透膜通过干涉消光作用降低了增透膜/空气界面之间的光反射损失，提高了新型结构的光学透过率和“陷光”能力。相比于传统结构的前电极，电池的EQE提高了4%，转换效率（η）提高了4%，达到10.24%。