固态微型谐振器的工作频率高、功率容量大、损耗低、体积小，是目前有望集成的射频滤波器技术，正成为国内外研究的热点。压电材料的选择及成膜质量是谐振器制作的关键，AlN材料因其具有宽带隙、高声速、高阻抗、低密度等优点而成为制作谐振器的优选材料。　　 本文在前期直流反应磁控溅射法制备AlN薄膜的工作基础上，采用优化的RF反应磁控溅射法制备了具有(002)择优取向的AlN薄膜，重点研究了不同条件对AlN薄膜择优取向的影响，并利用XRD、AFM和SEM分别表征了AlN薄膜的晶粒取向、表面形貌和薄膜截面。结果表明当衬底温度为300℃、射频功率为200W，靶基距为3cm、溅射气压为5Pa和10Pa时，分别在Pt/Ti电极和Mo电极上可沉积高质量的c轴择优取向AlN薄膜。为了制作固态微型谐振器，我们采用直流溅射制备了6层交替的Mo和Ti作为布拉格反射层形成声反射层，Mo和Ti的成膜质量很关键，本文研究了不同条件下Mo和Ti的平滑度，并用AFM进行了表征，结果表明溅射气压0.5Pa，溅射功率80W，衬底温度300℃时，沉积了粗糙度良好的布拉格反射层。结合后期测试方法，借助MEMS技术制备了固态微型谐振器，从薄膜沉积、光刻、电极图形化、AlN刻蚀工艺流程方面，进一步优化制备工艺；使用类似工艺制备出了固态微型滤波器原型。将制得的具有三明治结构的固态微型谐振器构成单端口网络，利用高频网络分析仪测和微波探针台试其频率特性，分析了器件性能的影响因素及相关规律，最终测得串、并联谐振频率(fs、fp)分别为2.38GHz和2.4.0GHz，Keff2、Q的值分别为2.05％和48.2；将所制得的滤波器，通过高频网络分析仪测和微波探针测试了器件的频率特性。