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本工作以光电子动力学理论为依据，建立了一种描述纯卤化银微晶及掺有不同浓度金属离子络合物的卤化银立方体微晶在室温下的能级模型，由此生成了一组描述粒子数关系的微分方程。通过计算该微分方程组得到了乳剂中各种光生载流子在超短脉冲曝光后的行为曲线，从而计算出自由光电子的衰减时间。通过分析模拟结果，确定了自由光电子衰减时间和模拟参数的对应关系，从而为确定具体乳剂中的参数提供依据。在此基础上，以微波吸收介电谱检测技术的实验结果为依据，对掺有K4Fe（CN）6的AgCl立方体微晶在室温下的曝光过程进行了模拟，通过调节模拟参数，不但计算出由掺杂剂引入的浅电子陷阱的俘获截面和陷阱深度，而且得到了这种掺杂乳剂的最佳掺杂浓度。