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具有可再生性、无污染性的太阳能利用成为解决能源问题有效途径之一，而太阳能电池就是合理利用太阳能的一种重要表现形式。CuInTe2的禁带宽度为1.06eV左右，可以通过掺杂Ga或Al使其禁带宽度进行调整。 基于第一性原理对CuInTe2体系进行理论计算，分析其几何结构、禁带宽度及光学性质；采用旋涂~共还原法对CuInTe2、CuGaTe2和CuAlTe2三种三元化合物进行制备，后又对CuInTe2进行掺杂Ga或Al制备，采用XRD、SEM、EDS和四探针电阻仪对其进行结构和性能分析。 （1）采用CASTEP程序对该体系进行结构优化、能带及光学性质计算。结构优化后，CuInTe2、CuGaTe2和CuAlTe2的晶胞体积变大，但三者晶胞体积依次减小的趋势不变；在CuInTe2中掺杂Ga或者Al进行优化后，较CuInTe2的晶胞体积变小，掺杂量越大，晶胞体积越小；能带计算后，发现随着掺杂Ga或Al量的增加，禁带宽度越变越大，但变化范围在CuInTe2和CuAlTe2禁带宽度的范围之内，可以通过改变掺杂量使禁带宽度在此范围内连续调节；CuInTe2的吸收率在波长为250nm达到顶峰，但随着掺杂量的增加，顶峰值有增大趋势，在可见光波长范围内，吸收率都达到4.0×104cm-1，能够保持较好的吸收率。 （2）研究了氯化物体系制备CuInTe2在不同反应温度下的合成结晶效果，发现在180℃~220℃下有成功制备CuInTe2薄膜的趋势；研究了硝酸盐体系制备CuInTe2薄膜在该温度区间内反应不同时间的合成结晶效果，均成功制备出了CuInTe2薄膜，结晶效果较于氯化物体系制备明显变好，在反应温度为200℃、反应时间为20h时结晶最好；发现增加反应次数能够提高成功制备CuInTe2薄膜的概率并能有效提高其结晶效果，而增加热处理工艺并未达到预期效果；通过SEM分析所制薄膜在一定范围内能够保持连续致密；通过EDS分析所制薄膜均含有Cu、In和Te元素；通过四探针电阻仪测得所制薄膜的电阻率与电导率符合半导体范围，但由于薄膜表面致密性较差，对电性能的测试结果影响较大。 （3）研究了在180℃~220℃下反应不同时间的合成CuGaTe2薄膜的结晶效果，均成功制备出了CuGaTe2薄膜，但结晶效果不好，在反应温度为200℃、反应时间为20h时结晶最好，通过SEM分析薄膜能够保持连续致密，通过EDS分析所制薄膜均含有Cu、Ga和Te元素；研究了在不同反应温度下合成CuAlTe2薄膜的结晶效果，没有成功得到 CuAlTe2晶体薄膜，仅仅得到了Te的单质晶体。研究了在180℃~220℃下反应不同时间合成CuIn1-xGaxTe2薄膜的结晶效果，没有得到CuIn1-xGaxTe2的晶体薄膜，仅仅得到了Te的单质晶体。