基于单芯片双门极IGBT的矩阵变换器换流策略研究

被引量 : 8次 | 上传用户：songyinming

【摘要】

：

本文对矩阵变换器理论进行了细致的阐述分析,从半导体器件层面到矩阵变换系统层面均提出了自己的构想理论。首次设想将一种单芯片双门极绝缘栅双极型晶体管(BD-IGBT)作为开关器件应用到矩阵变换器中,完成了对BD-IGBT的理论分析,元胞设计,混模仿真,对BD-IGBT应用于矩阵变换器的优势与可能遇到的问题进行了前瞻性的预测,并结合一部分实验验证了我们理论的可行性,为基于BD-IGBT设计的矩阵变换器提

【作者】

：

唐赛

【机构】

：

湖南大学

【发表日期】

：

2016年04期

【关键词】

：

矩阵变换器双向绝缘栅双极晶体管换流策略功率损耗

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