导电聚合物自发现以来这一研究领域就充满着活力,有着极大的应用前景。但是目前大部分高分子导电材料其导电性能远远比不上金属,所以提高其导电性能是其发展的一个重要方面。目前人们通过合成新的活性材料,器件结构的修饰等方法来提高聚合物的导电性。其中一个重要的方法即对薄膜表面形貌进行调控,本课题将外延生长结合电化学合成方法制备具有规整排列的共轭导电高分子聚噻吩衍生物薄膜。1.取向聚3-己基噻吩（P3HT）薄膜合成与表征通过循环伏安法在高度取向的等规聚丙烯（iPP）薄膜上电化学沉积,成功得到了具有有序结构的P3HT薄膜。采用偏光显微镜,偏振红外,偏振拉曼等多种表征手段证明其具有取向。结合二维掠入射X-射线衍射分析表明,P3HT以Edge-on片晶结构有序分布于取向iPP薄膜表面,且与iPP分子链呈一定角度的附生关系。对具有取向结构的P3HT薄膜进行场效应晶体管器件性能测试,在垂直和平行于iPP拉伸方向存在差异,为之后器件性能的提高提供一定的理论基础。2.取向聚3,4-乙撑二氧噻吩（PEDOT）薄膜合成与表征通过循环伏安法在高度取向的高密度聚乙烯（HDPE）薄膜上电化学沉积,成功得到了具有有序结构的PEDOT薄膜。采用扫描电镜对其形貌进行表征,通过偏振红外,偏振拉曼等多种表征手段证明PEDOT在取向HDPE薄膜表面发生取向。经器件电导率测试发现,在垂直于薄膜拉伸方向,PEDOT电导率为5.2 S·cm^-1,而平行于薄膜拉伸方向其电导率仅有0.28S·cm^-1。两方向电导率的较大差异证明利用电化学附生方法获得取向导电聚合物是一种有效方法。