21世纪，随着传统化石能源即将面临枯竭，能源危机和环境污染问题将愈发严重，寻找可替代的再生新能源成为全球各国不得不面临的重要问题。与此同时，随着技术的进步，铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池以其高转换效率、高稳定性和成本低廉(相对其它太阳能电池而言)引起政府管理者们的广泛关注。但是CIGS薄膜太阳能电池要实现大规模产业化，取代传统化石能源，还急需解决一些关键性技术问题。本论文着重就真空溅射后固态源硒化法制备CIGS薄膜太阳能电池工艺中存在的一些问题，系统地进行了一些有意义的探索，如Cu-In-Ga金属预制层对硒化后CIGS薄膜性能的影响和Cu2-xSe相生成问题等。因此，本论文着重从以下两个方面的问题来加以分析讨论。　　 首先，我们深入系统地研究了Cu-In-Ga金属预制层对硒化后CIGS薄膜性能的影响。通过对不同实验参数制备出来的Cu-In-Ga金属预制层的进行XRD和扫描电子显微镜分析，我们探讨分析了Cu-In-Ga金属预制层可能的成相过程，以及对Cu-In-Ga金属预制层形貌的影响。然后通过固态源硒化Cu-In-Ga金属预制层制备出CIGS薄膜，研究它们的表面形貌和相结构，来进一步地分析Cu-In-Ga金属预制层的成相机理。最后，总结出了我们实验室制备Cu-In-Ga金属预制层的最佳溅射参数。　　 其次，为了在硒化过程中，遏制硒化铜(Cu2-xSe)相的形成，避免后续氰化钾处理带来的相关人员安全和环境保护问题，本论文全面地研究了硒化工艺。实验中，我们改变升温速率、硒化时间、衬底温度和硒源温度.通过表面和断面SEM以及拉曼光谱(Raman)分析，我们推断出了金属预制层固态硒源硒化法制备CIGS薄膜可能涉及的反应机理。并在此基础上，我们对固态源硒化工艺进行了优化。最终我们获得了样品表面无明显Cu2-xSe相的CIGS薄膜。　　 最后，在前期研究分析的基础上，我制备出了完整的CIGS薄膜太阳能电池器件，标准太阳能光谱下I-V曲线测试显示3.59％的光电转换效率被获得。