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在高背景压强下，通过真空蒸发HCl态掺杂的聚苯胺薄片在未加热的玻璃基片上沉积了不同厚度的聚苯胺薄膜。利用场发射扫描电子显微镜、X射线能量散射谱、傅里叶变换红外光谱仪以及室温下的电导率测量，研究了薄膜的微观形貌、成分、结构和电学特性。
聚苯胺薄膜由大量的薄片构成，并且有一些薄片垂直于基片表面，在较厚的薄膜中垂直于基片表面的薄片数目多于在较薄的薄膜中垂直于基片表面的薄片数目；聚苯胺薄膜中不存在Cl元素；在所有的聚苯胺薄膜中，聚苯胺的芳香环结构都得到了保留，但是，在薄膜中聚苯胺的极化结构被破坏；与初始HCl掺杂态聚苯胺相比，所制备的聚苯胺薄膜具有较高的氧化状态；聚苯胺薄膜的电导率在10-8-10-9S/cm之间，远低于初始HCl掺杂聚苯胺薄片的电导率，此外，薄膜电导率随厚度增加而下降。