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CIGS薄膜电池是一种具有发展前景的、经济高效的、可用作光伏发电的太阳能电池。目前,它的电池效率已经达到了21.7%。在改善电池效率的工艺中,背电极Mo薄膜和缓冲层CdS薄膜的制备都起到了非常重要的作用。与其他材料相比,Mo金属具有良好的惰性和较高的导电率,这对于CIGS薄膜电池来说是非常好的背电极材料。而硫化镉属于II–VI族半导体材料,禁带宽度是2.45eV,与太阳光分布理想值比较接近同时对可见光具有非常好的透过率,所以常被用来作光伏电池的窗口材料。本文主要探究了CIGS薄膜太阳能电池的背电极Mo层及其缓冲层CdS薄膜制备工艺的优化调整。在Mo薄膜的沉积过程中分别采用了DC溅射模式、RF溅射模式和DC/RF混合溅射模式,在DC溅射模式下可以制备出电阻率比较低的Mo薄膜,而在RF模式下可以制备出反射率比较高的Mo薄膜。通过调整工作气压和溅射功率,Mo薄膜展示了不同的表面形貌和结晶性:在较低的工作气压下可以制备出结晶性较好的Mo薄膜,随着溅射功率的增加,Mo薄膜的结晶性和晶粒尺寸都会增加。本文在DC溅射模式下,溅射功率为300W,工作气压为0.1Pa,衬底不加热时制备出了电阻率为34×10-6Ω·cm的Mo薄膜。为了制备出电阻率低、附着性好、反射率高的Mo薄膜,分别在DC/DC溅射模式和DC/RF溅射模式、DC/DC/DC溅射模式和RF/DC/RF溅射模式下沉积制备了双层Mo薄膜和三层Mo薄膜。所获得的Mo薄膜都显示出了较低的电阻率和较好的附着性,DC/RF溅射模式和RF/DC/RF溅射模式下制备的Mo薄膜反射率会更好。在DC/RF溅射模式下的Mo薄膜的电阻率为67×10-6Ω·cm和RF/DC/RF溅射模式下的Mo薄膜的电阻率为61×10-6Ω·cm。采用化学水浴法制备CdS薄膜,通过正交试验法和对比试验法探究不同工艺条件下CdS薄膜的各项性能,分别探究了氯化铵溶液的浓度、硫脲的浓度、氯化镉溶液的浓度、氨水的用量、水浴温度、水浴时间以及退火条件的变化对CdS薄膜性能的影响。在CdCl2浓度为0.004mol/L时,CdS薄膜的致密度最好,晶粒尺寸比较大,结晶性良好;水浴温度为90℃时,CdS薄膜晶粒尺寸较大,结晶性较好;沉积时间为9~13mins时,沉积方式为离子-离子机制,得到表面平整致密的CdS薄膜;氨水用量为20ml时,薄膜透过率最高达95%,禁带宽度为2.5eV,比较接近CdS薄膜的理论值;经过退火后CdS薄膜的结晶性增加,晶粒尺寸增加,致密度增加,本文的最佳退火条件为350℃,1h时。