本论文主要研究了高性能复合栅绝缘膜的制备及性能测试。实验中使用具有不同介电常数的两种材料：聚甲基丙烯酸甲酯与偏氟乙烯-三氟乙烯的共聚物,配制不同的溶液,利用旋涂的方法制备了高性能的双层复合栅绝缘膜。在此基础上,又利用噻吩有机半导体材料,旋涂制备了半导体活性层,使用喷墨印刷的方法打印源漏电极,制备了OTFT器件。主要探讨了以下几个方面的内容。(1)复合介质膜制备工艺中退火温度的确定。测量不同退火温度条件下绝缘膜的介电特性,根据有机绝缘材料介质极化理论,分析了介质极化率与介电常数之间的关系、陷阱密度对介质极化以及漏电流的影响。找到了制备具有最大单位面积电容和最小单位面积漏电流的退火温度。(2)分析了陷阱在双层复合介质膜中的分布。在测量绝缘膜漏电流的过程中,发现漏电流随着扫描次数的增加而降低,表明绝缘膜内存在电子陷阱。利用高频CV测量得到MIS结构的平带电压,根据陷阱与平带电压偏移量之间的关系,得到陷阱在绝缘膜中的分布。并通过制备具有相反结构的复合绝缘膜,改变陷阱距离硅衬底的位置,对陷阱分布的假设进行验证。(3)研究了不同电压范围内复合绝缘膜的漏电基理。根据漏电曲线上电流拐点出现的位置,在不同的电压范围内,根据绝缘膜不同的漏电基理拟合了漏电流曲线,对漏电机制进行验证。(4)制备了OTFT器件,测量了器件的输出特性及转移特性,计算了载流子的迁移率、电流开关比以及器件的阈值电压,并分析了绝缘层/有源层界面以及电极/有源层的能级匹配对器件性能的影响。