聚偏氟乙烯薄膜改性与抗电子辐照研究

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聚偏氟乙烯薄膜具有低密度、柔韧性、可塑性、耐化学腐蚀性、耐高温、耐辐射性,同时还具有介电性。利用其优良性能可提高航天器中储能器件的存储性能、负担极限,还可优化元件设计。然而空间环境中辐照等恶劣的条件损害了聚偏氟乙烯薄膜的组织,严重地限制了其构件的性能和寿命。因此,对聚偏氟乙烯薄膜进行改性、研究改性规律,探索辐照对聚偏氟乙烯薄膜的影响是十分必要的。本文采用热处理和热拉伸方法对聚偏氟乙烯薄膜进行改性,并且采用电子辐照对三种聚偏氟乙烯薄膜进行辐照处理。利用DSC、红外光谱、XRD、安捷伦阻抗分析仪对未处理薄膜和后处理样品进行表征。进而确立了改性的工艺参数,并根据测试结果对热处理、热拉伸、电子辐照对薄膜结构和性能的影响进行了综合分析和原因探究。试验结果表明:介电常数最高的热处理工艺为快冷、热处理温度180oC、热处理时间6h,相应的介电常数为11.142。薄膜的结晶度、β相含量随处理时间的增加先增加后减少;熔点以下,结晶度、β相含量随热处理温度增加而增加,冷却速率对薄膜结构性能没有显著的影响;熔点以上,快冷导致薄膜结晶度下降,易生成β相,缓冷导致结晶度上升,易生成相。薄膜中β相比例的增加有助于介电常数的提高。介电常数最高的热拉伸工艺为拉伸速率50mm/min、拉伸温度80oC、拉伸倍率4倍,相应的介电常数为12.077。β相含量随热拉伸温度的升高先增加后减小,在80oC时达到最大值;介电常数与介电损耗在80oC时达到最高。随热拉伸速率的增加,Iβ/I先逐渐升高后趋于常量;结晶度逐渐减小;介电常数与介电损耗在50mm/min时最大。随着热拉伸倍率的增加,Iβ/I、结晶度、介电常数、介电损耗先增大后减小,在拉伸4倍时最大。薄膜经电子辐照后,结晶度、β相含量、介电常数减少,且随着辐照剂量的增加逐渐减少;低频下介电损耗变化不大,高频下介电损耗明显下降且随着辐照剂量的增加逐渐减少,改性的薄膜抗辐照能力提高。试验结果揭示了热处理、热拉伸对聚偏氟乙烯薄膜改性的可行性以及电子辐照对薄膜的作用效果,可为聚偏氟乙烯薄膜的进一步研究打下一定的基础。
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