太阳电池发展的主要趋势是提高转换效率和降低成本。多晶硅太阳电池是未来最有发展潜力的太阳电池之一。为了提高多晶硅太阳电池的转换效率,降低表面的光反射,增加光的有效吸收是十分必要的。如何获得好的表面织构化工艺是目前多晶硅太阳电池研究的重点。为此本文着重研究了酸腐多晶硅表面织构工艺;并研究了快速热处理对PECVD氮化硅薄膜性能的影响。采用扫描电镜和光谱响应系统研究了酸腐多晶硅表面织构工艺。研究表明采用H2SO4和H3PO4改良的HF/HNO3的混合酸腐蚀液能够得到反射率很低的蠕虫状表面织构。首次采用HF和NaNO2混合溶液用于腐蚀多晶硅片的表面织构,获得很好的效果。采用椭圆偏振仪、原子力显微镜、光谱响应系统研究了快速热处理后PECVD氮化硅薄膜性能的变化。当热处理温度小于650℃时,氮化硅的膜厚和折射率基本不变,当温度增加时膜厚迅速减小,折射率迅速增大;在低于500℃退火时,随温度升高,少子寿命上升,高于500℃退火时,少子寿命急剧下降;氮化硅薄膜热处理后反射率基本不变。